RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
73
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3361
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link