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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
73
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
1893
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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