RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
73
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3132
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link