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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
73
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
30
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3132
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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