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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
73
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2950
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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