RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2950
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link