RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
73
Autour de -128% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3217
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link