RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3217
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link