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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3429
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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