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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3484
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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