RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2641
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link