RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
1908
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link