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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2561
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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