RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
69
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
60
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2145
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link