RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3371
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link