RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3819
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link