RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
69
Autour de -263% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3310
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link