RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
22.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
18.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
4177
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link