RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
69
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3574
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link