RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3472
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link