RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3990
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link