RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2770
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link