RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
69
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2073
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link