RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2642
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link