RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2783
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link