RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
69
Autour de -214% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2801
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link