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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Comparez
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
72
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,938.7
1,906.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
66
72
Vitesse de lecture, GB/s
4,323.0
4,241.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,906.1
1,938.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
703
677
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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