RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
92
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1875
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link