RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
92
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1875
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link