RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
92
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
32
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1875
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link