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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB vs Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Note globale
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
58
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,264.2
2,001.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
46
58
Vitesse de lecture, GB/s
5,243.1
4,796.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,264.2
2,001.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
775
768
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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