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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
68
Autour de -162% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2808
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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