RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
68
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2960
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link