RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
68
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2949
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link