RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
68
Autour de -209% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
3132
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link