RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
64
Autour de -73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
2758
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link