RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
64
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2758
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link