RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2359
3072
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link