Comparaison de la RAM Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Note globale

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.3 11.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 19200

Autour de 1.33% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 60

Autour de -122% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 11.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2359 2062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns