Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.3 left arrow 11.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 19200
    Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 60
    Intorno -122% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 11.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.3 left arrow 11.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.0 left arrow 11.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2359 left arrow 2062
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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