Confronto tra le RAM Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.3 11.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 19200

Intorno 1.33% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 60

Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 11.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2359 2062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns