RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
55
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
55
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2767
2701
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link