RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
55
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2701
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link