RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2765
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link