RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
13.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2987
2958
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link