RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2987
2944
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link