RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2987
2812
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link