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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2987
2812
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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