Comparaison de la RAM Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Note globale

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.5 9.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 38

Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.5 14.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2470 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns