RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
83
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
83
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1774
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link