RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
83
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1774
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link