RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

总分
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 83
    左右 41% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 2,066.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 83
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 1774

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
内存RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
内存RAM